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浏览次数: 日期:2013年9月3日 17:44

    国际新能源网讯:功率半导体番茄视频官网的发展趋势,永远是追求更高的功率密度——降低内阻以减小导通损耗,研发更小的封装或者提高集成度。而在封装上,无论芯片和焊盘采用何种连接方式,减少热损失都是必然趋势。
    新能源领域的需求特点
    新能源狐狸视频app在线看对功率器件的需求主要体现为:高功率应用需要功率因素校正;低功率应用需要减少发热,可通过封装革新或降低器件内阻来实现。此外,在某些场合,功率半导体元件的强壮性至关重要,器件的强壮性很容易受到较高的冲击电流的考验,这点在电机类应用中尤为突出,上述这些因素决定了适用于新能源需求的解决方案。
    AOS万国半导体始终专注于新能源领域,为了降低器件内阻,AOS在硅芯片工艺以及机械设计这两个方面投入非常多的资源(后者关系到热仿真和可靠性),包括在美国俄勒冈州拥有超高性能 FS-IGBT的8寸晶圆厂,以更好地满足狐狸视频app在线看的一致性、番茄社区安卓直通率以及大规模产能的要求;以及来自全球各知名公司、番茄社区安卓经验丰富的工程师团队,有助于AOS用更迅速而可靠的方法开发技术,也保证了为特定的应用需求能提供更可靠的狐狸视频app在线看。
    目前,AOS可提供从600 V到1200 V的FS IGBT,并命名为Alpha IGBT,未来目标是开发?槔嘈偷解决方案用于在家电、番茄社区安卓焊接机等的工业应用中。FS-IGBT拥有世界上最薄的特性,能有效降低开关损耗和导通损耗;Top-cell结构可满足马达控制应用中需要更强壮稳定的需求。而在MOSFET狐狸视频app在线看系列,AOS提供从 20V到1000 V最佳的低电压、番茄社区安卓中电压和高压的狐狸视频app在线看,最新的AlphaMOS II是AOS第二代高压MOSFET的狐狸视频app在线看,在30 Mhz带宽电磁干扰测试以及辐射测试中表现优异,有助于工程师在电路设计中获得最佳效率和电磁干扰性能。
    功率器件开发趋势
    在各种不同的应用中,一个共同的特点是,MOSFET需要高效和强壮,而IGBT需要强壮和更低的导通损耗以及开关损耗,这些都需要根据番茄社区安卓版下载实际系统来设计。
    AOS在全球拥有从器件到系统级别工程师支持团队,对于客户的需求可以及时反应。针对中国市,AOS在上海建立了强大的应用开发中心,工程师拥有大量的设计经验,他们在系统设计师和电源半导体之间架起了一座桥梁,可根据番茄社区安卓版下载系统功率等级的需求来提供适合的解决方案给客户。例如,从600-1200V的IGBT可用于太阳能逆变器、番茄社区安卓工业电机驱动、番茄社区安卓电网功率因数校正或家电控制,并能满足国内电焊机制造商的要求;从20-1000 V的MOSFET可用于高效电源,以满足国际标准如“能源之星”的要求。
    总体来看,IGBT的技术趋势主要是从600 V转到1200 V器件。AOS将通过加强制造工艺来控制结电容,以获得更好的性能,同时通过提高击穿电压来保证器件的可靠性,此外,AOS也在研究为下一代?榻饩龇桨讣尤肟焖倩指炊极管。
    另一方面,MOSFET的技术趋势是利用SGT技术从20 V过渡到400 V器件,并且优化Rdson和寄生电容之间的开关性能,这将帮助功率器件的效率提升至一个更高的水平级。AOS计划在SGT的基础上提升工艺技术,开发下一代500V-700V的MOSFET,这些狐狸视频app在线看内部将有加强型结构,可靠性大为提高,同时表现优异的开关性能可解决EMI的问题。

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